高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設備，廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。二、產品特點高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。

CVD系統設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。

CVD成長系統是利用氣態化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發涂層的一種薄膜材料制備系統。

1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;

2、生長腔體采用高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境;

3、爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；

4、密封法蘭均采用不銹鋼材質，配水冷套，可連續長時間工作;

5、氣路系統采用兩路質量流量計(可拓展多路),配預混系統;

6、氣體種類：He/Ar、C2H2、NH3、N2,H2、PH3、GeH4、B2H6；

7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數，自動保存實驗參數，也可采用手動控制；

8、系統采用集成化設計，控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。

CVD系統產品的特點：

1、兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式

2、可以在1000Pa-0、1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長

3、使用計算機控制，可以設置多種生長參數

4、可以制備高質量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動力學過程

5、沉積效率高；薄膜的成分準確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實現厚膜沉積且能大量生產

CVD系統用途：

此款CVD系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控

生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

CVD系統組成：

配置：

1、1200度開啟式真空管式爐（可選配多溫區）。

2、滑動系統分為手動、電動滑動，并配有風冷系統。

3、多路質量流量控制系統

4、真空系統（可選配中真空或高真空）

CVD系統特點：

1、控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2、氣路快速連接法蘭結構采用快捷法蘭，提高操作便捷性。

3、中真空系統具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統采用高壓強，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統使用壽命。

4、電動)滑動系統采用溫度控制器自動控制爐體移動，等程序完成，爐體按設定的速度滑動，因有滑動限位功能爐體不會發生碰撞，待樣品露出爐體后，通過風冷系統快速降溫。