PECVD系統由管式爐,石英真空管、真空系統、供氣系統、射頻電源系統等組成。 PECVD 系統主要應用于金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,石墨烯等生長。 洛陽西格馬可生產1200度實驗用小型PECVD、1200度實驗用雙溫區管式爐小型PECVD、低真空CVD系統、等離子增強化學氣相沉積系統。

氣相沉積法化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用設計為廣泛的用來沉積多種材 料的技術, 包括大范 圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。
CVD 技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓 CVD(LPCVD),常壓 CVD(APCVD),亞常壓 CVD(SACVD),超高真空 CVD(UHCVD),等離子體增強 CVD(PECVD),高密度等離子體 CVD(HDPCVD) 以及快熱 CVD(RTCVD)。
PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
PVD和熱錨點CVD相比,PECVD可以在相對較低的溫度(小于350℃)下沉積出高均勻性薄膜。此外,對于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉積,等離子沉積技術提供了秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。
1200度實驗用小型PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
1、1200度開啟式滑動單溫區真空管式爐
2、等離子射頻電源
3、多路質量流量控制系統
4、真空系統(單購買)
可實現手動滑動或自動滑動、氣路數量2-5可選擇;溫度范圍寬;濺射區域長;整管可調;精致小巧,性價比高,可實現快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨烯,陶瓷薄膜,金屬薄膜,復合薄膜等的不錯的選擇,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
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系統名稱 |
SGM?集成型PECVD系統 |
SGM 1200℃小型PECVD系統 |
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系統型號 |
SGM PECVD/12IH-500A |
SGM PECVD/12IH-4Z/G |
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控制方式 |
液晶屏微PLC控制系統 |
手動 |
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額定溫度 |
1200℃(可選1300℃、1400℃、1700℃等) |
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加熱區長度 |
200mm(可按需定制) |
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恒溫區長度 |
100mm(可按需定制 |
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溫區 |
單溫區(可生產雙溫區、三溫區) |
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爐管材質 ? |
石英管 | |
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石英管管徑 |
Φ60mm |
Φ50mm |
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額定功率 |
1.2Kw |
2Kw |
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額定電壓 |
220V |
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滑動方式及距離 |
自動滑動;200mm |
手動滑動;200mm |
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溫度控制 |
30段程序控溫 |
50段程序控溫 |
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控制精度 |
±1℃ |
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爐管工作溫度 |
<1200℃ |
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氣路法蘭 |
采用多環密封技術卡箍快速連接 |
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排風冷卻裝置 |
先進的空氣隔熱技術,結合熱感應技術,當爐體表面溫升到50℃時, 排溫風扇將自動啟動,使爐體表面快速降溫。 |
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氣體控制方式 |
質量流量計(按鍵式) |
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氣路數量 |
2路(2-4路) |
4路(可根據具體需要選配氣路數量) |
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流量范圍 |
0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定 |
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精度 |
±1%F.S |
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響應時間 |
1sec |
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工作溫度 |
20/120℃ |
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工作壓力 |
進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力) |
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進氣方式 |
采用防倒流設計 |
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規格 |
中真空(集成型請單購買) |
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系統真空范圍 |
10Pa/100Pa |
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真空泵 |
雙級機械泵理論極限真空度3x10-1Pa,抽氣速率4L/S(選配:其他抽速真空泵),出氣口配有油污過濾器,額定電壓220V,功率0.55Kw |
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信號頻率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率輸出范圍 |
0W-500W |
0W/100W |
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反射功率 |
350W |
30W |
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射頻輸出接口 |
50Ω,N-type,temale |
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功率穩定度 |
±0.1% |
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諧波分量 |
≤-50dbc |
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供電電壓 |
單相交流(187V-253V)頻率50/60HZ |
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整機功率 |
≥70% |
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屏幕顯示 |
正方向功率,匹配器電容位置,偏置電壓值 |
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爐體外形尺寸 |
290×360×350mm |
290×350×490mm |
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系統外形尺寸 |
420×1440×1100mm |
530×2310×750mm |
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系統總重量 |
大約276Kg |
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